ROHM ESR25, AEC-Q200 Dickschicht Widerstand 3 Ω ±1 % / 0.66 W ±200 ppm/°C, 1210 Gehäuse
- RS Best.-Nr.:
- 263-7475
- Herst. Teile-Nr.:
- ESR25JZPF3R00
- Marke:
- ROHM
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- Herst. Teile-Nr.:
- ESR25JZPF3R00
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Widerstand | 3Ω | |
| Produkt Typ | Widerstand | |
| Widerstandstyp | Hohe Genauigkeit, Hoher Druck | |
| Technologie | Dickschicht | |
| Gehäusegröße | 1210 | |
| Toleranz | ±1 % | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Spannung | 400V | |
| Nennleistung | 0.66W | |
| Temperaturkoeffizient | ±200 ppm/°C | |
| Automobilstandard | AEC-Q200 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Serie | ESR25 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 155°C | |
| Länge | 3.2mm | |
| Anschlussart | Lot | |
| Breite | 2.5mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60115-8 | |
| Höhe | 0.55mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Widerstand 3Ω | ||
Produkt Typ Widerstand | ||
Widerstandstyp Hohe Genauigkeit, Hoher Druck | ||
Technologie Dickschicht | ||
Gehäusegröße 1210 | ||
Toleranz ±1 % | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Spannung 400V | ||
Nennleistung 0.66W | ||
Temperaturkoeffizient ±200 ppm/°C | ||
Automobilstandard AEC-Q200 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Serie ESR25 | ||
Maximale Betriebstemperatur 155°C | ||
Länge 3.2mm | ||
Anschlussart Lot | ||
Breite 2.5mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 60115-8 | ||
Höhe 0.55mm | ||
Der Überspannungsschutz-Chip-Widerstand von ROHM verfügt über ein exklusives Widerstandselementmuster und die Laser-Trimming-Technologie führt zu deutlich verbesserten Überspannungsfestigkeitseigenschaften. Dieser Widerstandstyp hat einen elektrostatischen Entladungswiderstand von 2 kV bis 5 kV. Dieses Produkt ist für Sätze und Stromkreise mit hoher Zuverlässigkeit geeignet.
Überlegene Nennleistung
ROHM-Widerstände mit ISO9001- und IATF16949-Zertifizierung
Entspricht AEC-Q200
Hoher Genauigkeitswiderstand
Höhere Nennleistung als bei Standard-Chip-Widerständen