WeEn Semiconductors Co., Ltd 7.5 A 650 V, Gate-Trigger 15 mA 132 A 1.75 V 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 509-443
- Herst. Teile-Nr.:
- BT151S-650R,118
- Marke:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
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- RS Best.-Nr.:
- 509-443
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- BT151S-650R,118
- Marke:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | WeEn Semiconductors Co., Ltd | |
| Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms | 7.5A | |
| Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM | 650V | |
| Spitzenstrom | 132A | |
| Montageart | SMD | |
| Gate-Trigger-Strom max. Igt | 15mA | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Trigger-Spannung max. Vgt | 1.5V | |
| Maximaler Haltestrom Ih | 20mA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Spitzen-Durchlassspannung | 1.75V | |
| Spitzen Off-State Strom periodisch | 0.5mA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke WeEn Semiconductors Co., Ltd | ||
Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms 7.5A | ||
Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM 650V | ||
Spitzenstrom 132A | ||
Montageart SMD | ||
Gate-Trigger-Strom max. Igt 15mA | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Trigger-Spannung max. Vgt 1.5V | ||
Maximaler Haltestrom Ih 20mA | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Spitzen-Durchlassspannung 1.75V | ||
Spitzen Off-State Strom periodisch 0.5mA | ||
Phasenanschnitt-Thyristoren, WeEn Semiconductors
Thyristoren - WeEn Semiconductors; Ein Thyristor ist ein Halbleiterhalbleitergerät mit vier Schichten aus wechselndem N- und P-Material. Er fungiert als bistabiler Schalter, der leitet, wenn sein Gate einen Stromimpuls erhält, und der weiterleitet, wenn in der Durchlassrichtung eine Vorspannung anliegt. Thyristoren sind Synonym für Silizium-gesteuerte Gleichrichter (SCR).;Planar passivierter Silizium-gesteuerter Gleichrichter (SCR) in einem SOT78-Kunststoffgehäuse für den Einsatz in Anwendungen, die eine hohe bidirektionale Sperrspannung, eine hohe Stoßstromfähigkeit und eine hohe thermische Zyklusleistung erfordern.
Hauptmerkmale
Thyristoren – WeEn Semiconductors
Ein Thyristor ist ein Festkörper-Halbleitergerät mit vier Schichten aus abwechselnd N- und P-leitendem Material. Er fungiert als bistabiler Schalter, der leitet, wenn sein Gate einen Stromimpuls erhält, und der weiterleitet, wenn in der Durchlassrichtung eine Vorspannung anliegt. Thyristoren sind ein Synonym für siliziumgesteuerte Gleichrichter (SCR).
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