STMicroelectronics Thyristoren 19 A 1200 V, Gate-Trigger 50 mA 420 A 2.1 V TOP3 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 178-1397
- Herst. Teile-Nr.:
- BTW68-1200RG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- BTW68-1200RG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms | 19A | |
| Produkt Typ | Thyristoren | |
| Gehäusegröße | TOP3 | |
| Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM | 1200V | |
| Spitzenstrom | 420A | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Gate-Trigger-Strom max. Igt | 50mA | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximaler Haltestrom Ih | 75mA | |
| Gate-Trigger-Spannung max. Vgt | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | BTW68 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Spitzen-Durchlassspannung | 2.1V | |
| Spitzen Off-State Strom periodisch | 20μA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms 19A | ||
Produkt Typ Thyristoren | ||
Gehäusegröße TOP3 | ||
Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM 1200V | ||
Spitzenstrom 420A | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Gate-Trigger-Strom max. Igt 50mA | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximaler Haltestrom Ih 75mA | ||
Gate-Trigger-Spannung max. Vgt 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie BTW68 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Spitzen-Durchlassspannung 2.1V | ||
Spitzen Off-State Strom periodisch 20μA | ||
Thyristoren, STMicroelectronics
Ein breites Spektrum von Mehrzweck-Thyristoren von STMicroelectronics mit Nennsperrspannungen von 400 bis 1200 V und einem Durchlassnennstrom von bis zu 50 A.
– STMicroelectronics
STMicroelectronics erzeugt eine große Auswahl an Thyristoren, auch bekannt als SCR oder siliziumgesteuerte Gleichrichter, die für eine Vielzahl von Leistungsschalt- und Steuerungsanwendungen geeignet sind. ZU den Spezialtypen gehören empfindliches Gate-Thyristoren und Geräte für Anwendungen im Bereich der Kapazitätsentladung.
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