STMicroelectronics SCR Thyristor 30A D2PAK 600V 493A
- RS Best.-Nr.:
- 192-5065
- Herst. Teile-Nr.:
- TN5015H-6G
- Marke:
- STMicroelectronics
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- TN5015H-6G
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| On-State Strom durchschnittlich | 30A | |
| Thyristor-Typ | SCR | |
| Gehäusegröße | D2PAK | |
| Spitzen-Sperrspannung periodisch | 600V | |
| Spitzenstrom | 493A | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gate-Triggerstrom max. | 15mA | |
| Gate-Triggerspannung max. | 1.3V | |
| Haltestrom max. | 60mA | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Abmessungen | 10.28 x 9.35 x 4.6mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
On-State Strom durchschnittlich 30A | ||
Thyristor-Typ SCR | ||
Gehäusegröße D2PAK | ||
Spitzen-Sperrspannung periodisch 600V | ||
Spitzenstrom 493A | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gate-Triggerstrom max. 15mA | ||
Gate-Triggerspannung max. 1.3V | ||
Haltestrom max. 60mA | ||
Pinanzahl 3 | ||
Abmessungen 10.28 x 9.35 x 4.6mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dank seiner Sperrschichttemperatur Tj bis zu 150 °C bietet das Gerät eine hohe thermische Leistung von bis zu 50 A. Das D__LW_AT__2PAK-Gehäuse ermöglicht moderne SMD-Designs sowie eine kompakte Back-to-Back-Konfiguration. Seine Störfestigkeit gegen das Abgehen (dV/dt = 500 V/μs) im Vergleich zu seinem Gate-Auslösestrom (IGT = 15 mA) und seine Einschaltstromerhöhung (dI/dt = 100 A/μs) ermöglichen die Entwicklung eines robusten und kompakten Steuerschaltkreises für den Spannungsregler in Motorrädern und industriellen Antrieben, Überspannungsschutz, Motorsteuerungsstromkreise in Elektrowerkzeugen und Küchengeräten, Einschaltstrombegrenzungs-Stromkreise.
Hohe Sperrschichttemperatur: TJ = 150 °C.
Hohe Störfestigkeit dV/dt = 500 V/μs bis zu 150 °C
Gate-Auslösestrom IGT = 15 mA
Peak-off-Zustandsspannung VDRM/VRRM = 600 V
Hoher Einschaltstromanstieg dI/dt = 100 A/μs
Hohe Störfestigkeit dV/dt = 500 V/μs bis zu 150 °C
Gate-Auslösestrom IGT = 15 mA
Peak-off-Zustandsspannung VDRM/VRRM = 600 V
Hoher Einschaltstromanstieg dI/dt = 100 A/μs
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