STMicroelectronics SCR Thyristoren 25 A TO-263 1200 V, Gate-Trigger 50 mA 440 A
- RS Best.-Nr.:
- 248-7504P
- Herst. Teile-Nr.:
- TN4050HP-12GY-TR
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Thyristoren | |
| Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms | 25A | |
| Thyristor-Typ | SCR | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM | 1200V | |
| Spitzenstrom | 440A | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gate-Trigger-Strom max. Igt | 50mA | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Trigger-Spannung max. Vgt | 1.3V | |
| Maximaler Haltestrom Ih | 100mA | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | TN4050HP-12GY-TR | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Thyristoren | ||
Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms 25A | ||
Thyristor-Typ SCR | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM 1200V | ||
Spitzenstrom 440A | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gate-Trigger-Strom max. Igt 50mA | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Trigger-Spannung max. Vgt 1.3V | ||
Maximaler Haltestrom Ih 100mA | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie TN4050HP-12GY-TR | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Bei dem Produkt von STMicroelectronics handelt es sich um einen SCR-Thyristor in Automobilqualität, der für Anwendungen wie On-Board- und stationäre Batterieladegeräte in Kraftfahrzeugen entwickelt wurde. Dieser SCR-Thyristor, der für eine Schaltleistung von 40 A RMS ausgelegt ist, bietet eine überragende Leistung in Bezug auf die Robustheit bei Spitzenspannungen bis zu 400 V Sinusimpuls. Seine Hauptmerkmale ermöglichen die Entwicklung von Funktionen wie einem 56 A RMS AC-Schalter und einer 50 A AC DC gesteuerten Gleichrichterbrücke.
AEC-Q101 qualifiziert
Hohe Sperrschichttemperatur von 150 °C
Nomineller RMS-Strom im eingeschalteten Zustand von 40 A RMS
Hohe EFT-Rauschimmunität von 1000 V pro μs
Maximaler Gate-Triggerstrom von 50 mA
Verfügbar im D2PAK-Gehäuse
