STMicroelectronics SCR Thyristoren 40 A TO-263 1200 V, Gate-Trigger 50 mA 400 A
- RS Best.-Nr.:
- 261-5489
- Herst. Teile-Nr.:
- TN4050HA-12GY-TR
- Marke:
- STMicroelectronics
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| 10 - 98 | 3,145 € | 6,29 € |
| 100 - 248 | 2,975 € | 5,95 € |
| 250 - 498 | 2,825 € | 5,65 € |
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- 261-5489
- Herst. Teile-Nr.:
- TN4050HA-12GY-TR
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Thyristoren | |
| Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms | 40A | |
| Thyristor-Typ | SCR | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM | 1200V | |
| Spitzenstrom | 400A | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gate-Trigger-Strom max. Igt | 50mA | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximaler Haltestrom Ih | 100mA | |
| Gate-Trigger-Spannung max. Vgt | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | TN4050HA-12GY-TR | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Thyristoren | ||
Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms 40A | ||
Thyristor-Typ SCR | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM 1200V | ||
Spitzenstrom 400A | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gate-Trigger-Strom max. Igt 50mA | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximaler Haltestrom Ih 100mA | ||
Gate-Trigger-Spannung max. Vgt 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie TN4050HA-12GY-TR | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 1200 V, 40 A Thyristor (SCR) von STMicroelectronics in Kfz-Qualität wurde für Anwendungen wie integrierte Ladegeräte in der Kfz-Industrie, Halbleiterrelais und stationäre Akkuladegeräte entwickelt, bei denen eine hohe Störfestigkeit im Aus-Zustand erforderlich ist. Erhältlich im D2PAK-Gehäuse, ist es ideal für kompakte SMD-Designs mit höherer Leistung auf Leiterplatten oder isolierten Metall-Substratplatinen.
150 °C max. Anschlusstemperatur
50 mA max. IGT
Erhältlich in D2PAK-Gehäuse
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