STMicroelectronics Thyristoren 32 A 1000 V, Gate-Trigger 80 mA 610 A 2.2 V 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 877-2655P
- Herst. Teile-Nr.:
- BTW67-1000
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms | 32A | |
| Produkt Typ | Thyristoren | |
| Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM | 1000V | |
| Spitzenstrom | 610A | |
| Montageart | Panel | |
| Gate-Trigger-Strom max. Igt | 80mA | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Trigger-Spannung max. Vgt | 1.3V | |
| Maximaler Haltestrom Ih | 150mA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Länge | 30.3mm | |
| Serie | BTW67 | |
| Normen/Zulassungen | UL RECOGNiseD : E81734 | |
| Breite | 27 mm | |
| Höhe | 40mm | |
| Spitzen-Durchlassspannung | 2.2V | |
| Spitzen Off-State Strom periodisch | 10μA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms 32A | ||
Produkt Typ Thyristoren | ||
Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM 1000V | ||
Spitzenstrom 610A | ||
Montageart Panel | ||
Gate-Trigger-Strom max. Igt 80mA | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Trigger-Spannung max. Vgt 1.3V | ||
Maximaler Haltestrom Ih 150mA | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Länge 30.3mm | ||
Serie BTW67 | ||
Normen/Zulassungen UL RECOGNiseD : E81734 | ||
Breite 27 mm | ||
Höhe 40mm | ||
Spitzen-Durchlassspannung 2.2V | ||
Spitzen Off-State Strom periodisch 10μA | ||
Automobilstandard Nein | ||
Thyristoren, STMicroelectronics
Ein breites Spektrum von Mehrzweck-Thyristoren von STMicroelectronics mit Nennsperrspannungen von 400 bis 1200 V und einem Durchlassnennstrom von bis zu 50 A.
– STMicroelectronics
STMicroelectronics erzeugt eine große Auswahl an Thyristoren, auch bekannt als SCR oder siliziumgesteuerte Gleichrichter, die für eine Vielzahl von Leistungsschalt- und Steuerungsanwendungen geeignet sind. ZU den Spezialtypen gehören empfindliches Gate-Thyristoren und Geräte für Anwendungen im Bereich der Kapazitätsentladung.