- RS Best.-Nr.:
- 540-6548
- Herst. Teile-Nr.:
- RN2105(TE85L,F)
- Marke:
- Toshiba
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- RN2105(TE85L,F)
- Marke:
- Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
Transistor mit integriertem Widerstand, Serie BRT, Toshiba
Integrierte Vorwiderstände, der Einsatz von weniger Teilen reduziert die Größe und spart Platz bei der Montage
Großer Widerstands-Wertebereich macht dieses Produkt für diverse Anwendungen geeignet
Ergänzung zu den Produkten von RN1101 / RN2101 bis RN1118 / RN2118
Anwendungen: Schalten, Frequenzumrichterschaltungen, Schnittstellenstromkreise, Treiberstromkreise
SSM-Gehäuse
Großer Widerstands-Wertebereich macht dieses Produkt für diverse Anwendungen geeignet
Ergänzung zu den Produkten von RN1101 / RN2101 bis RN1118 / RN2118
Anwendungen: Schalten, Frequenzumrichterschaltungen, Schnittstellenstromkreise, Treiberstromkreise
SSM-Gehäuse
Digital Transistors, Toshiba
Resistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | PNP |
DC Kollektorstrom max. | -100 mA |
Kollektor-Emitter-Spannung | 50 V |
Gehäusegröße | ESM |
Montage-Typ | SMD |
Gleichstromverstärkung min. | 80 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Basis-Emitter Spannung max. | -5 V |
Pinanzahl | 3 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Widerstandsverhältnis | 0.047 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Eingangswiderstand typ. | 2.2 kΩ |
Abmessungen | 1.6 x 0.8 x 0.7mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 540-6548
- Herst. Teile-Nr.:
- RN2105(TE85L,F)
- Marke:
- Toshiba