Bipolare NPN-Leistungstransistoren, die für den Einsatz in ESBC™-Konfigurationen (Emittergeschaltete bipolare/MOSFET-Kaskode) zusammen mit geeigneten Leistungs-MOSFET-Geräten entwickelt wurden. Diese Netzschalterkonfiguration bietet erhöhte Effizienz, Flexibilität und Widerstandsfähigkeit und der Antrieb wird aufgrund des Fehlens der Miller-Kapazität im Design minimiert.
Bipolare Transistoren, Fairchild Semiconductor
Eine breite Palette an bipolaren Junction-Transistoren (BJT) bietet komplette Lösungen für verschiedene Stromkreisanwendungsanforderungen. Innovative Gehäuse bieten minimale Größe, höchste Zuverlässigkeit und maximale Wärmeleistung.