2MBi200U4H-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 200 A, M249 7-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 716-5567
- Herst. Teile-Nr.:
- 2MBi200U4H-120-50
- Marke:
- Fuji Electric
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 716-5567
- Herst. Teile-Nr.:
- 2MBi200U4H-120-50
- Marke:
- Fuji Electric
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Fuji Electric | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 200 A | |
| Kollektor-Emitter- | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 1,04 kW | |
| Gehäusegröße | M249 | |
| Konfiguration | Serie | |
| Montage-Typ | Frontplattenmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Transistor-Konfiguration | Serie | |
| Abmessungen | 108 x 62 x 30mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Fuji Electric | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 200 A | ||
Kollektor-Emitter- 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 1,04 kW | ||
Gehäusegröße M249 | ||
Konfiguration Serie | ||
Montage-Typ Frontplattenmontage | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 7 | ||
Transistor-Konfiguration Serie | ||
Abmessungen 108 x 62 x 30mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
IGBT, diskret, Fuji Electric
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Fuji Electric
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.