Fuji Electric

Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 36,56 €Stück
6MBP25VAA-120-50 N-Kanal Smart Power Modul, 1200 V / 25 A, P 629 20-Pin
  • Konfiguration3-phasig
  • Transistor-Konfiguration3-phasig
  • Dauer-Kollektorstrom max.25 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Channel-TypN
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • 75,40 €Stück
2MBI200U2A-060-50 N-Kanal IGBT-Modul, 600 V / 200 A, M235 7-Pin
  • KonfigurationSerie
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.200 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • 36,438 €
    Stück (In einer Box à 50)
6MBP25VAA-120-50 N-Kanal Smart Power Modul, 1200 V / 25 A, P 629 20-Pin
  • Transistor-Konfiguration3-phasig
  • Konfiguration3-phasig
  • Dauer-Kollektorstrom max.25 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Channel-TypN
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • 68,326 €
    Stück (In einer Box à 20)
2MBI200U2A-060-50 N-Kanal IGBT-Modul, 600 V / 200 A, M235 7-Pin
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.200 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • 102,20 €Stück
2MBI300VB-060-50 N-Kanal IGBT-Modul, 600 V / 300 A, M274 7-Pin
  • KonfigurationSerie
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.300 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • 82,067 €
    Stück (In einer Box à 10)
2MBI300VB-060-50 N-Kanal IGBT-Modul, 600 V / 300 A, M274 7-Pin
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.300 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • 55,831 €
    Stück (In einer Box à 20)
2MBI100U4A-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 100 A, M232 7-Pin
  • KonfigurationSerie
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.100 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • 75,26 €Stück
2MBI100U4A-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 100 A, M232 7-Pin
  • KonfigurationSerie
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.100 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • 118,044 €
    Stück (In einer Box à 10)
IGBT-Treibermodul VLA536-01R CMOS 10 (Alarm) mA 12 → 18V 15-Pin
  • Logik-TypCMOS
  • Ausgangsstrom10 (Alarm) mA
  • Versorgungsspannung12 → 18V
  • Pinanzahl15
  • Montage-TypFrontplattenmontage
Vergleichbare Produkte in "Treiber ICs Universal"
  • 12,75 €
    Stück (In einer Box à 60)
MOSFET Treiber VLA517-01R, 1-Kanal 4A SIP-Modul 15-Pin
  • Anzahl der Treiber1
  • Arbeitsspannnung min.20 V
  • Arbeitsspannnung max.22 V
  • Montage-TypDurchsteckmontage
  • Spitzen-Ausgangsstrom4A
Vergleichbare Produkte in "MOSFET Treiber"
  • 14,75 €Stück
MOSFET Treiber VLA517-01R, 1-Kanal 4A SIP-Modul 15-Pin
  • Anzahl der Treiber1
  • Arbeitsspannnung min.20 V
  • Arbeitsspannnung max.22 V
  • Montage-TypDurchsteckmontage
  • Spitzen-Ausgangsstrom4A
Vergleichbare Produkte in "MOSFET Treiber"
  • 129,85 €Stück
IGBT-Treibermodul VLA536-01R CMOS 10 (Alarm) mA 12 → 18V 15-Pin
  • Logik-TypCMOS
  • Ausgangsstrom10 (Alarm) mA
  • Versorgungsspannung12 → 18V
  • Pinanzahl15
  • Montage-TypFrontplattenmontage
Vergleichbare Produkte in "Treiber ICs Universal"
  • 111,60 €Stück
6MBI150U4B-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 150 A, M633 35-Pin
  • Transistor-Konfiguration3-phasig
  • KonfigurationDreiphasenbrücke
  • Dauer-Kollektorstrom max.150 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • 111,017 €
    Stück (In einer Box à 10)
6MBI150U4B-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 150 A, M633 35-Pin
  • Transistor-Konfiguration3-phasig
  • KonfigurationDreiphasenbrücke
  • Dauer-Kollektorstrom max.150 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • 44,961 €
    Stück (In einer Box à 10)
6MBI50U4A-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 50 A, M636 28-Pin
  • Transistor-Konfiguration3-phasig
  • KonfigurationDreiphasenbrücke
  • Dauer-Kollektorstrom max.50 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • 45,21 €Stück
6MBI50U4A-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 50 A, M636 28-Pin
  • KonfigurationDreiphasenbrücke
  • Transistor-Konfiguration3-phasig
  • Dauer-Kollektorstrom max.50 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • 86,07 €Stück
2MBI300U2B-060-50 N-Kanal IGBT-Modul, 600 V / 300 A, M233 7-Pin
  • KonfigurationSerie
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.300 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • 119,53 €Stück
2MBi200VH-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 240 A, M276 7-Pin
  • KonfigurationSerie
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.240 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • 95,983 €
    Stück (In einer Box à 10)
2MBI200VH-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 240 A, M276 7-Pin
  • KonfigurationSerie
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.240 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • 69,117 €
    Stück (In einer Box à 20)
2MBI300U2B-060-50 N-Kanal IGBT-Modul, 600 V / 300 A, M233 7-Pin
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.300 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
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