Fuji Electric IGBT-Modul / 50 A ±20V max., 1200 V 280 W, 24-Pin M712 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
110-9135
Herst. Teile-Nr.:
7MBR50VB-120-50
Marke:
Fuji Electric
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Marke

Fuji Electric

Dauer-Kollektorstrom max.

50 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

280 W

Gehäusegröße

M712

Konfiguration

Dreiphasenbrücke

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

24

Transistor-Konfiguration

3-phasig

Abmessungen

122 x 62 x 17mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Fuji Electric-IGBT-Module, 7er-Pack


V-Serie


IGBT, diskrete Bauteile und Module, Fuji Electric


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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