STMicroelectronics IGBT / 50 A ±20V max., 1200 V 375 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
168-8942
Herst. Teile-Nr.:
STGW25S120DF3
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

50 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

375 W

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Gate-Kapazität

1600pF

Nennleistung

4.88mJ

Ursprungsland:
CN

IGBT, diskret, STMicroelectronics



IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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