Fairchild IGBT / 75 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-247 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
124-1305
Herst. Teile-Nr.:
HGTG40N60A4
Marke:
Fairchild Semiconductor
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Marke

Fairchild Semiconductor

Dauer-Kollektorstrom max.

75 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Ursprungsland:
CN

Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor



IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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