onsemi IGBT / 60 A ±20V max., 1200 V 260 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
124-5386
Herst. Teile-Nr.:
NGTB30N120LWG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

60 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

260 W

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

16.26 x 5.3 x 21.08mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN

IGBT, diskret, ON Semiconductor


Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) für den Motorantrieb und andere Starkstrom-Schaltanwendungen.


IGBT, diskret, ON Semiconductor


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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