onsemi IGBT / 60 A ±20V max., 600 V 208 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

View all IGBT
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
Packaging Options:
RS Stock No.:
807-6664
Mfr. Part No.:
HGTG30N60B3
Brand:
onsemi
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

60 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

208 W

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor



IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Related links