onsemi IGBT / 200 A ±20V max., 1200 V 1,07 kW, 3-Pin TO247-3LD N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 284-9001
- Herst. Teile-Nr.:
- FGY100T120RWD
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 200 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 1,07 kW | |
| Gehäusegröße | TO247-3LD | |
| Konfiguration | Single | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 200 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 1,07 kW | ||
Gehäusegröße TO247-3LD | ||
Konfiguration Single | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Der LDO-Regler von ON Semiconductor bietet eine optimale Leistung mit geringen Leitungsverlusten und guter Schaltsteuerbarkeit für einen hocheffizienten Betrieb in verschiedenen Anwendungen wie Motorsteuerung, USV, Rechenzentren und Hochleistungsschaltern.
Geringer Leitungsverlust und optimiertes Schalten
Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb
Hohe Strombelastbarkeit
Kurzschlussfestigkeit
RoHS-konform
Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb
Hohe Strombelastbarkeit
Kurzschlussfestigkeit
RoHS-konform
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