onsemi IGBT / 100 A, 650 V 268 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 189-0476
- Herst. Teile-Nr.:
- FGHL50T65SQ
- Marke:
- onsemi
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- FGHL50T65SQ
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 100A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 268W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 19ns | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | High Speed | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 100A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 268W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 19ns | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie High Speed | ||
Automobilstandard Nein | ||
Verwendung der neuartigen Feldstopp-IGBT-Technologie der 4. Generation. FGHL50T65SQ ist ein einzelner IGBT. Dieser IGBT bietet die optimale Leistung mit geringer Leitungsverlust und Schaltverlust für einen hocheffizienten Betrieb in verschiedenen Anwendungen.
VCE(sat) = 1,6 V (typ.) @ IC = 50 A
Hochgeschwindigkeitsschalten
Geringer Saugverlust
Geringe Schaltverluste
Anwendungen
PFC
Endprodukte
Stromversorgung
Klimaanlage
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