onsemi IGBT / 100 A ±20V max. , 650 V 268 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
189-0182
Herst. Teile-Nr.:
FGHL50T65SQ
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

100 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

268 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Verwendung der neuartigen Feldstopp-IGBT-Technologie der 4. Generation. FGHL50T65SQ ist ein einzelner IGBT. Dieser IGBT bietet die optimale Leistung mit geringer Leitungsverlust und Schaltverlust für einen hocheffizienten Betrieb in verschiedenen Anwendungen.

VCE(sat) = 1,6 V (typ.) @ IC = 50 A
Hochgeschwindigkeitsschalten
Geringer Saugverlust
Geringe Schaltverluste
Anwendungen
PFC
Endprodukte
Stromversorgung
Klimaanlage

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