- RS Best.-Nr.:
- 241-0726
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH4L50T65SQD
- Marke:
- onsemi
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- 241-0726
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH4L50T65SQD
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der IGBT von ON Semiconductor mit hoher Schaltgeschwindigkeit von 650 V, 80 A FS4. Bietet optimale Leistung durch Ausgleich von Vce(sat) und Eoff-Verlusten und kontrollierbare Turnooff-Vce-Übershoot. Gut geeignet für Solarwechselrichter, USV, EV-Ladestationen, ESS und andere Hochleistungsanwendungen.
Positiver Temperaturkoeffizient
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige Schaltverluste
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige Schaltverluste
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
Gate-Source Spannung max. | 15V |
Anzahl an Transistoren | 30 |
Verlustleistung max. | 268 W |
Gehäusegröße | TO-247-4LD |
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