onsemi IGBT, 650 V 268 W, 4-Pin TO-247-4LD Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 241-0726
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH4L50T65SQD
- Marke:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 241-0726
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH4L50T65SQD
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 268W | |
| Gehäusegröße | TO-247-4LD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 15 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 5.2mm | |
| Länge | 15.8mm | |
| Breite | 22.74 mm | |
| Serie | FGH4L50T65SQD | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 268W | ||
Gehäusegröße TO-247-4LD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 15 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 5.2mm | ||
Länge 15.8mm | ||
Breite 22.74 mm | ||
Serie FGH4L50T65SQD | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der IGBT von ON Semiconductor mit hoher Schaltgeschwindigkeit von 650 V, 80 A FS4. Bietet optimale Leistung durch Ausgleich von Vce(sat) und Eoff-Verlusten und kontrollierbare Turnooff-Vce-Übershoot. Gut geeignet für Solarwechselrichter, USV, EV-Ladestationen, ESS und andere Hochleistungsanwendungen.
Positiver Temperaturkoeffizient
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige Schaltverluste
Verwandte Links
- onsemi IGBT / 200 A 15V max. 30-fach, 650 V 268 W TO-247-4LD
- onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 268 W TO-247-4LD
- onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 469 W TO-247-4LD
- onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 375 W TO-247-4LD
- onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 268 W TO-247-3L
- onsemi IGBT / 50 A ±30.0V max. 30-fach 3-Pin TO-247 N-Kanal
- onsemi IGBT / 80 A ±30.0V max. 30-fach 3-Pin TO-247 N-Kanal
- onsemi IGBT / 100 A ±20V max. 3-Pin TO-247