Teile-Nr.

onsemi IGBT, 650 V 268 W, 4-Pin TO-247-4LD Oberfläche

RS Best.-Nr.:: 241-0726
Herst. Teile-Nr.:: FGH4L50T65SQD
Marke:: onsemi

onsemi IGBT, 650 V 268 W, 4-Pin TO-247-4LD Oberfläche

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Herst. Teile-Nr.:: FGH4L50T65SQD
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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	650V
	Maximale Verlustleistung Pd	268W
	Gehäusegröße	TO-247-4LD
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	15 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	22.74 mm
	Länge	15.8mm
	Höhe	5.2mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Serie	FGH4L50T65SQD
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V
	Maximale Verlustleistung Pd 268W
	Gehäusegröße TO-247-4LD
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 15 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 22.74 mm
	Länge 15.8mm
	Höhe 5.2mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Serie FGH4L50T65SQD
	Automobilstandard Nein

Datasheet - FGH4L50T65SQD

Der IGBT von ON Semiconductor mit hoher Schaltgeschwindigkeit von 650 V, 80 A FS4. Bietet optimale Leistung durch Ausgleich von Vce(sat) und Eoff-Verlusten und kontrollierbare Turnooff-Vce-Übershoot. Gut geeignet für Solarwechselrichter, USV, EV-Ladestationen, ESS und andere Hochleistungsanwendungen.

Positiver Temperaturkoeffizient

Einfacher Parallelbetrieb

Niedrige Schaltverluste

onsemi IGBT, 650 V 268 W, 4-Pin TO-247-4LD Oberfläche

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