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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	650V
	Maximale Verlustleistung Pd	268W
	Gehäusegröße	TO-247-4LD
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	15.87mm
	Höhe	4.82mm
	Serie	FGHL50T65MQDT
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V
	Maximale Verlustleistung Pd 268W
	Gehäusegröße TO-247-4LD
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 15.87mm
	Höhe 4.82mm
	Serie FGHL50T65MQDT
	Automobilstandard Nein

Datasheet - FGHL50T65MQDTL4

Der IGBT von ON Semiconductor mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit von 650 V, 50 A FS4. Bietet optimale Leistung durch Ausgleich von Vce(sat) und Eoff-Verlusten und kontrollierbare Turnooff-Vce-Übershoot. Gut geeignet für Solarwechselrichter, USV, EV-Ladestationen, ESS und andere Hochleistungsanwendungen.

Positiver Temperaturkoeffizient

Einfacher Parallelbetrieb

Niedrige Schaltverluste

Niedrige Leitungsverluste

onsemi IGBT, 650 V 268 W, 3-Pin TO-247-4LD Oberfläche

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