onsemi IGBT, 650 V 268 W, 3-Pin TO-247-3L Oberfläche

Alle IGBT anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

4,46 €

(ohne MwSt.)

5,31 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 322 Einheit(en) mit Versand ab 16. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 +4,46 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
241-0732
Herst. Teile-Nr.:
FGHL50T65MQDT
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

268W

Gehäusegröße

TO-247-3L

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

20.82 mm

Länge

15.87mm

Serie

FGHL50T65MQDT

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

4.82mm

Automobilstandard

Nein

Der IGBT von ON Semiconductor mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit von 650 V, 50 A FS4. Bietet optimale Leistung durch Ausgleich von Vce(sat) und Eoff-Verlusten und kontrollierbare Turnooff-Vce-Übershoot. Gut geeignet für Solarwechselrichter, USV, EV-Ladestationen, ESS und andere Hochleistungsanwendungen.

Positiver Temperaturkoeffizient

Einfacher Parallelbetrieb

Niedrige Schaltverluste

Niedrige Leitungsverluste

Verwandte Links