onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 268 W TO-247-3L
- RS Best.-Nr.:
- 241-0732
- Herst. Teile-Nr.:
- FGHL50T65MQDT
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der IGBT von ON Semiconductor mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit von 650 V, 50 A FS4. Bietet optimale Leistung durch Ausgleich von Vce(sat) und Eoff-Verlusten und kontrollierbare Turnooff-Vce-Übershoot. Gut geeignet für Solarwechselrichter, USV, EV-Ladestationen, ESS und andere Hochleistungsanwendungen.
Positiver Temperaturkoeffizient
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige Schaltverluste
Niedrige Leitungsverluste
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige Schaltverluste
Niedrige Leitungsverluste
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
| Gate-Source Spannung max. | 20V |
| Anzahl an Transistoren | 30 |
| Verlustleistung max. | 268 W |
| Gehäusegröße | TO-247-3L |
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