onsemi IGBT / 50 A ±30.0V max. 30-fach, 650 V 268 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

36,22 €

(ohne MwSt.)

43,10 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 20. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 903,622 €36,22 €
100 - 2403,122 €31,22 €
250 +2,707 €27,07 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
202-5673
Herst. Teile-Nr.:
AFGHL50T65SQ
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

50 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±30.0V

Anzahl an Transistoren

30

Verlustleistung max.

268 W

Gehäusegröße

TO-247

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Der on Semiconductor Field Stop Trench IGBT bietet die optimale Leistung für harte und weiche Schalttopologien in der Automobilindustrie. Es handelt sich um einen eigenständigen IGBT.

AEC-Q101-qualifiziert
Hohe Strombelastbarkeit
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Enge Parameterverteilung
RoHS-konform

Verwandte Links