onsemi IGBT, 650 V 238 W, 3-Pin TO-247-3L Oberfläche

Alle IGBT anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 450 Stück)*

1.023,30 €

(ohne MwSt.)

1.217,70 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 09. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
450 +2,274 €1.023,30 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
241-0727
Herst. Teile-Nr.:
FGHL40T65MQDT
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

238W

Gehäusegröße

TO-247-3L

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

FGHL40T65MQDT

Höhe

4.82mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

15.87mm

Breite

20.82 mm

Automobilstandard

Nein

Der IGBT von ON Semiconductor mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit von 650 V, 40 A FS4. Bietet optimale Leistung durch Ausgleich von Vce(sat) und Eoff-Verlusten und kontrollierbare Turnooff-Vce-Übershoot. Gut geeignet für Solarwechselrichter, USV, EV-Ladestationen, ESS und andere Hochleistungsanwendungen.

Positiver Temperaturkoeffizient

Einfacher Parallelbetrieb

Niedrige Schaltverluste

Niedrige Leitungsverluste

Verwandte Links