onsemi IGBT / 100 A ±20V max. , 650 V 660 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 214-8785
- Herst. Teile-Nr.:
- AFGY100T65SPD
- Marke:
- onsemi
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- AFGY100T65SPD
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 660 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 100 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 660 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Die Serie on Semiconductor AFGY ist IGBT mit einer weichen, schnellen Wiederherstellungsdiode, die sehr niedrige Leitungs- und Schaltverluste für einen hocheffizienten Betrieb in verschiedenen Anwendungen, robuste transiente Zuverlässigkeit und geringe elektromagnetische Störungen bietet.
Enge Parameterverteilung
Hohe Eingangsimpedanz
Kurzschluss-Robustheit
Zusammen mit einer weichen, schnellen Wiederherstellungsdiode
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Kurzschluss-Robustheit
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