onsemi IGBT / 100 A ±30.0V max. , 650 V 134 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

49,81 €

(ohne MwSt.)

59,27 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 230 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 904,981 €49,81 €
100 - 2404,294 €42,94 €
250 +3,722 €37,22 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
202-5677
Herst. Teile-Nr.:
FGHL50T65SQDT
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

100 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±30.0V

Verlustleistung max.

134 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-247

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Die on Semiconductor IGBTs bieten die optimale Leistung für Solarwechselrichter, USV, Schweißgeräte, Telekommunikation, ESS- und PFC-Anwendungen, bei denen niedrige Leitungs- und Schaltverluste unerlässlich sind.

175 °C maximale Sperrschichttemperatur
Hohe Strombelastbarkeit
Hohe Eingangsimpedanz
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Ziehen Sie die Parameterverteilung fest
Bleifrei und RoHS-konform

Verwandte Links