onsemi IGBT / 100 A ±30.0V max. , 650 V 134 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 202-5676
- Herst. Teile-Nr.:
- FGHL50T65SQDT
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
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| 450 + | 2,912 € | 1.310,40 € |
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- 202-5676
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- FGHL50T65SQDT
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die on Semiconductor IGBTs bieten die optimale Leistung für Solarwechselrichter, USV, Schweißgeräte, Telekommunikation, ESS- und PFC-Anwendungen, bei denen niedrige Leitungs- und Schaltverluste unerlässlich sind.
175 °C maximale Sperrschichttemperatur
Hohe Strombelastbarkeit
Hohe Eingangsimpedanz
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Ziehen Sie die Parameterverteilung fest
Bleifrei und RoHS-konform
Hohe Strombelastbarkeit
Hohe Eingangsimpedanz
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Ziehen Sie die Parameterverteilung fest
Bleifrei und RoHS-konform
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±30.0V |
| Anzahl an Transistoren | 1 |
| Verlustleistung max. | 134 W |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
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