Teile-Nr.

onsemi IGBT / 80 A ±30.0V max. 30-fach, 650 V 238 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 202-5671
Herst. Teile-Nr.:: AFGHL40T65SQD
Marke:: onsemi

onsemi IGBT / 80 A ±30.0V max. 30-fach, 650 V 238 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

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Herst. Teile-Nr.:: AFGHL40T65SQD
Marke:: onsemi

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Dauer-Kollektorstrom max.	80 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	±30.0V
	Verlustleistung max.	238 W
	Anzahl an Transistoren	30
	Gehäusegröße	TO-247
	Channel-Typ	N
	Pinanzahl	3
	Transistor-Konfiguration	Einfach

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Dauer-Kollektorstrom max. 80 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. ±30.0V
	Verlustleistung max. 238 W
	Anzahl an Transistoren 30
	Gehäusegröße TO-247
	Channel-Typ N
	Pinanzahl 3
	Transistor-Konfiguration Einfach

Datasheet - AFGHL40T65SQD

Der on Semiconductor Field Stop Trench IGBT bietet die optimale Leistung für harte und weiche Schalttopologien in der Automobilindustrie. Es handelt sich um einen eigenständigen IGBT.

AEC-Q101-qualifiziert
Hohe Strombelastbarkeit
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Enge Parameterverteilung
RoHS-konform

onsemi IGBT / 80 A ±30.0V max. 30-fach, 650 V 238 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

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