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onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 366 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 145-3469
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTB40N65FL2WG
- Marke:
- onsemi
Preis pro Stück (In einer Stange von 30)
4,315 €
(ohne MwSt.)
5,135 €
(inkl. MwSt.)
999999999 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 4,315 € | 129,45 € |
| 120 - 240 | 3,461 € | 103,83 € |
| 270 - 480 | 3,27 € | 98,10 € |
| 510 + | 3,068 € | 92,04 € |
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
- RS Best.-Nr.:
- 145-3469
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTB40N65FL2WG
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
IGBT, diskret, ON Semiconductor
Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) für den Motorantrieb und andere Starkstrom-Schaltanwendungen.
IGBT, diskret, ON Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 366 W |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 16.26 x 5.3 x 21.08mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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