onsemi IGBT-Feldstop II / 80 A, 650 V 366 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 145-3469
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTB40N65FL2WG
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt sichern
120 weitere Einheiten hinzufügen, um 19% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
123,72 €
(ohne MwSt.)
147,24 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- 30 Einheit(en) mit Versand ab 20. Januar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 30 - 90 | 4,124 € | 123,72 € | - |
| 120 - 240 | 3,308 € | 99,24 € | 19% |
| 270 - 480 | 3,126 € | 93,78 € | 24% |
| 510 + | 2,933 € | 87,99 € | 28% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-3469
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTB40N65FL2WG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 80A | |
| Produkt Typ | IGBT-Feldstop II | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 366W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | Field Stop | |
| Länge | 21.34mm | |
| Breite | 16.25mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 80A | ||
Produkt Typ IGBT-Feldstop II | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 366W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie Field Stop | ||
Länge 21.34mm | ||
Breite 16.25mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 5.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
IGBT, diskret, ON Semiconductor
Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) für den Motorantrieb und andere Starkstrom-Schaltanwendungen.
IGBT, diskret, ON Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- onsemi IGBT-Feldstop II / 80 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- onsemi IGBT-Feldstop II / 70 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- onsemi IGBT-Ultra-Feldstop / 25 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- onsemi IGBT 4-Pin TO-247-4LD Oberfläche
- onsemi IGBT 3-Pin TO-247-4LD Oberfläche
- onsemi IGBT 3-Pin TO-247-3L Oberfläche
- onsemi IGBT 3-Pin TO-247-3L Oberfläche
- onsemi IGBT 4-Pin TO-247-4LD Oberfläche