onsemi IGBT-Feldstop II / 80 A, 650 V 366 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
145-3469
Herst. Teile-Nr.:
NGTB40N65FL2WG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

80A

Produkt Typ

IGBT-Feldstop II

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

366W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

Field Stop

Höhe

5.3mm

Länge

21.34mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

IGBT, diskret, ON Semiconductor


Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) für den Motorantrieb und andere Starkstrom-Schaltanwendungen.

IGBT, diskret, ON Semiconductor


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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