STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max., 600 V 375 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
145-8649
Herst. Teile-Nr.:
STGWT60V60DLF
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

60 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

375 W

Gehäusegröße

TO-3P

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

15.7 x 5.7 x 26.7mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
KR

IGBT, diskret, STMicroelectronics



IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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