STMicroelectronics IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 375 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 168-8686
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWT60H65DFB
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
91,89 €
(ohne MwSt.)
109,35 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 04. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 3,063 € | 91,89 € |
| 60 - 120 | 2,983 € | 89,49 € |
| 150 + | 2,91 € | 87,30 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-8686
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWT60H65DFB
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 375 W | |
| Gehäusegröße | TO-3P | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 15.8 x 5 x 20.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 80 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 375 W | ||
Gehäusegröße TO-3P | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 15.8 x 5 x 20.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- KR
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-3P N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 375 W TO-247-3L
- onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 375 W TO-247-4LD
- STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max. 3-Pin TO-3P N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 120 A ±20V max. 3-Pin TO-3P N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- onsemi IGBT / 75 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal