Toshiba IGBT / 40 A ±25V max., 1800 V 375 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
891-2746P
Herst. Teile-Nr.:
GT40WR21,Q(O
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Dauer-Kollektorstrom max.

40 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1800 V

Gate-Source Spannung max.

±25V

Verlustleistung max.

375 W

Gehäusegröße

TO-3P

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1.8MHz

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

15.5 x 4.5 x 20mm

Betriebstemperatur max.

175 °C

Gate-Kapazität

4500pF

Ursprungsland:
JP

IGBTs, diskret, Toshiba



IGBT, diskrete Bauteile und Module, Toshiba


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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