Toshiba IGBT / 60 A ±25V max., 600 V, 3-Pin TO-3PLH N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
184-521
Herst. Teile-Nr.:
GT60J323(Q)
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Dauer-Kollektorstrom max.

60 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

±25V

Gehäusegröße

TO-3PLH

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

20.5 x 5.2 x 26mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Ursprungsland:
JP

IGBTs, diskret, Toshiba



IGBT, diskrete Bauteile und Module, Toshiba


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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