Toshiba IGBT / 60 A, 600 V 170 W, 3-Pin TO-3PLH Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
184-521
Herst. Teile-Nr.:
GT60J323(Q)
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

60A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Gehäusegröße

TO-3PLH

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.5V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±25 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
JP

IGBTs, diskret, Toshiba


IGBT, diskrete Bauteile und Module, Toshiba


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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