Toshiba Diskreter IGBT / 20 A, 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
796-5055
Herst. Teile-Nr.:
GT20J341
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

Diskreter IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

20A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

45W

Gehäusegröße

TO-220SIS

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

100kHz

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±25 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

GT20J341

Automobilstandard

Nein

IGBTs, diskret, Toshiba


IGBT, diskrete Bauteile und Module, Toshiba


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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