Toshiba IGBT / 20 A ±25V max., 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
796-5055
Herst. Teile-Nr.:
GT20J341
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Dauer-Kollektorstrom max.

20 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

±25V

Verlustleistung max.

45 W

Gehäusegröße

TO-220SIS

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

100kHz

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

10 x 4.5 x 15mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

IGBTs, diskret, Toshiba



IGBT, diskrete Bauteile und Module, Toshiba


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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