- RS Best.-Nr.:
- 168-7961
- Herst. Teile-Nr.:
- TK17A65W,S5X(M
- Marke:
- Toshiba
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- TK17A65W,S5X(M
- Marke:
- Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 17 A |
Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
Gehäusegröße | TO-220SIS |
Serie | TK |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 200 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
Verlustleistung max. | 45 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
Breite | 4.5mm |
Länge | 10mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Höhe | 15mm |
- RS Best.-Nr.:
- 168-7961
- Herst. Teile-Nr.:
- TK17A65W,S5X(M
- Marke:
- Toshiba
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