Teile-Nr.

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 17 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS

RS Best.-Nr.:: 168-7961
Herst. Teile-Nr.:: TK17A65W,S5X(M
Marke:: Toshiba

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 17 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS

Nicht verfügbar

Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.

RS Best.-Nr.:: 168-7961
Herst. Teile-Nr.:: TK17A65W,S5X(M
Marke:: Toshiba

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Toshiba
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	17 A
	Drain-Source-Spannung max.	650 V
	Serie	TK
	Gehäusegröße	TO-220SIS
	Montage-Typ	THT
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	200 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
	Verlustleistung max.	45 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
	Breite	4.5mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Länge	10mm
	Transistor-Werkstoff	Si
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	45 nC @ 10 V
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Höhe	15mm

	Alle auswählen
	Marke Toshiba
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 17 A
	Drain-Source-Spannung max. 650 V
	Serie TK
	Gehäusegröße TO-220SIS
	Montage-Typ THT
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 200 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 3.5V
	Verlustleistung max. 45 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V
	Breite 4.5mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Länge 10mm
	Transistor-Werkstoff Si
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 45 nC @ 10 V
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Höhe 15mm

Ursprungsland:: MY

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 17 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS

MOSFET-Transistoren, Toshiba

Verwandte Links