Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 250 W, 3-Pin TO-3PN

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
796-5159
Herst. Teile-Nr.:
TK10J80E
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

10 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Serie

TK

Gehäusegröße

TO-3PN

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Verlustleistung max.

250 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

46 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

15.5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

4.5mm

Höhe

20mm


MOSFET-Transistoren, Toshiba

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