Toshiba TK TK12J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-3PN
- RS Best.-Nr.:
- 891-2881
- Herst. Teile-Nr.:
- TK12J60W,S1VQ(O
- Marke:
- Toshiba
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| 1 - 4 | 2,66 € |
| 5 - 9 | 2,51 € |
| 10 - 24 | 2,37 € |
| 25 - 49 | 2,25 € |
| 50 + | 2,14 € |
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- 891-2881
- Herst. Teile-Nr.:
- TK12J60W,S1VQ(O
- Marke:
- Toshiba
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 11,5 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
| Gehäusegröße | TO-3PN |
| Serie | TK |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 300 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.7V |
| Verlustleistung max. | 110 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Breite | 4.5mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 15.5mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Höhe | 20mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.7V |
- RS Best.-Nr.:
- 891-2881
- Herst. Teile-Nr.:
- TK12J60W,S1VQ(O
- Marke:
- Toshiba
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