Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-3PN

RS Best.-Nr.:: 891-2881
Herst. Teile-Nr.:: TK12J60W,S1VQ(O
Marke:: Toshiba

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-3PN

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Herst. Teile-Nr.:: TK12J60W,S1VQ(O
Marke:: Toshiba

TK12J60W, Silicon N-Channel DTMOS MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	11,5 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Serie	TK
Gehäusegröße	TO-3PN
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	300 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.7V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	25 nC @ 10 V
Länge	15.5mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.5mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodendurchschlagsspannung	1.7V
Höhe	20mm

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-3PN

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