Toshiba TK TK12E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 827-6113
- Herst. Teile-Nr.:
- TK12E60W,S1VX(S
- Marke:
- Toshiba
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| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 5 - 20 | 2,086 € | 10,43 € |
| 25 - 45 | 1,672 € | 8,36 € |
| 50 - 120 | 1,524 € | 7,62 € |
| 125 - 245 | 1,398 € | 6,99 € |
| 250 + | 1,252 € | 6,26 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 827-6113
- Herst. Teile-Nr.:
- TK12E60W,S1VX(S
- Marke:
- Toshiba
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 11,5 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Serie | TK |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 300 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.7V |
| Verlustleistung max. | 110 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Länge | 10.16mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 4.45mm |
| Höhe | 15.1mm |
- RS Best.-Nr.:
- 827-6113
- Herst. Teile-Nr.:
- TK12E60W,S1VX(S
- Marke:
- Toshiba
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