Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 11.5 A 110 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
827-6113
Herst. Teile-Nr.:
TK12E60W,S1VX(S
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

TK

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

300mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.7V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.45 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.16mm

Höhe

15.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

MOSFET-Transistoren, Toshiba


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