Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
168-7963
Herst. Teile-Nr.:
TK20E60W,S1VX(S
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

TK

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

155 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.7V

Verlustleistung max.

165 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Breite

4.45mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

48 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

10.16mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

15.1mm

Ursprungsland:
CN

MOSFET N-Kanal, Serie TK2x, Toshiba



MOSFET-Transistoren, Toshiba

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