- RS Best.-Nr.:
- 827-6163
- Herst. Teile-Nr.:
- TK20J60W,S1VQ(O
- Marke:
- Toshiba
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
2 - 18 | 7,62 € | 15,24 € |
20 - 38 | 5,775 € | 11,55 € |
40 - 72 | 5,44 € | 10,88 € |
74 - 148 | 5,305 € | 10,61 € |
150 + | 5,17 € | 10,34 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 827-6163
- Herst. Teile-Nr.:
- TK20J60W,S1VQ(O
- Marke:
- Toshiba
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
MOSFET N-Kanal, Serie TK2x, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 20 A |
Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
Serie | TK |
Gehäusegröße | TO-3PN |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 155 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3.7V |
Verlustleistung max. | 165 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
Breite | 4.5mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
Länge | 15.5mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Höhe | 20mm |
- RS Best.-Nr.:
- 827-6163
- Herst. Teile-Nr.:
- TK20J60W,S1VQ(O
- Marke:
- Toshiba
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