Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS

RS Best.-Nr.:: 827-6151
Herst. Teile-Nr.:: TK20A60W,S5VX(M
Marke:: Toshiba

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS

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RS Best.-Nr.:: 827-6151
Herst. Teile-Nr.:: TK20A60W,S5VX(M
Marke:: Toshiba

TK20A60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	20 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-220SIS
Serie	TK
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	155 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.7V
Verlustleistung max.	45 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	48 nC @ 10 V
Breite	4.5mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	10mm
Höhe	15mm

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS

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MOSFET N-Kanal, Serie TK2x, Toshiba

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