Teile-Nr.

Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,8 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS

Name: Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,8 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS
Brand: Toshiba
SKU: 125-0597P
Availability: InStock

Bestandsabfrage leider nicht möglich

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Toshiba
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	7,8 A
	Drain-Source-Spannung max.	650 V
	Serie	DTMOSIV
	Gehäusegröße	TO-220SIS
	Montage-Typ	THT
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	650 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
	Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
	Verlustleistung max.	30 W
	Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	16 nC @ 10 V
	Länge	10mm
	Transistor-Werkstoff	Si
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Breite	4.5mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Diodendurchschlagsspannung	1.7V
	Höhe	15mm

	Alle auswählen
	Marke Toshiba
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 7,8 A
	Drain-Source-Spannung max. 650 V
	Serie DTMOSIV
	Gehäusegröße TO-220SIS
	Montage-Typ THT
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 650 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 3.5V
	Gate-Schwellenspannung min. 2.5V
	Verlustleistung max. 30 W
	Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 16 nC @ 10 V
	Länge 10mm
	Transistor-Werkstoff Si
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Breite 4.5mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Diodendurchschlagsspannung 1.7V
	Höhe 15mm

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.