Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 5.8 A 60 W, 3-Pin TK6P65W,RQ(S TO-252

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RS Best.-Nr.:
133-2800
Herst. Teile-Nr.:
TK6P65W,RQ(S
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

DTMOSIV

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.05Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Durchlassspannung Vf

1.7V

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.1 mm

Höhe

2.3mm

Länge

6.6mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
JP

MOSFET-N-Kanal, Serie TK6 und TK7, Toshiba


MOSFET-Transistoren, Toshiba


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