Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 10 μA 55 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 174-4116
- Herst. Teile-Nr.:
- TK8P25DA,RQ(S
- Marke:
- Toshiba
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 50 | 0,506 € | 12,65 € |
| 75 - 125 | 0,434 € | 10,85 € |
| 150 - 275 | 0,392 € | 9,80 € |
| 300 - 600 | 0,36 € | 9,00 € |
| 625 + | 0,343 € | 8,58 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 174-4116
- Herst. Teile-Nr.:
- TK8P25DA,RQ(S
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10μA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 500mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.7V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 55W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10μA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 500mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.7V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 55W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.6mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Toshiba MOSFET ist ein Silizium-N-Kanal-MOS mit 3-poligem und SMD-Montagetyp.
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle
Niedriger Leckstrom