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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Toshiba
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	8A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	130mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	19nC
	Maximale Verlustleistung Pd	27W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	10 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	6.5mm
	Breite	7 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	2.3mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Toshiba
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 130mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC
	Maximale Verlustleistung Pd 27W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 10 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 6.5mm
	Breite 7 mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 2.3mm
	Automobilstandard AEC-Q101

RoHS Status: Nicht zutreffend

Anwendungsbereich

Kfz

Motortreiber

DC/DC-Wandler

Schaltspannungsregler

Merkmale

Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 80 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

Niedriger Leckstrom: IDSS = –10 μA (max.) (VDS = -60V)

Verbesserungsmodus: Vth = -2,0 bis -3,0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

Toshiba Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 27 W, 3-Pin TO-252

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