Toshiba TK8S06K3L N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A 25 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 171-2501
- Herst. Teile-Nr.:
- TK8S06K3L
- Marke:
- Toshiba
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,783 € | 7,83 € |
| 50 - 90 | 0,67 € | 6,70 € |
| 100 - 990 | 0,586 € | 5,86 € |
| 1000 + | 0,521 € | 5,21 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 171-2501
- Herst. Teile-Nr.:
- TK8S06K3L
- Marke:
- Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
KfzMotortreiberDC/DC-WandlerSchaltspannungsreglerNiedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 43 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 60 V)Verbesserungsmodus: Vth = 2,0 bis 3,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 8 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 80 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 25 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 7mm |
| Länge | 6.5mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Höhe | 2.3mm |
| Automobilstandard | AEC-Q101 |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
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