Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 25 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

7,38 €

(ohne MwSt.)

8,78 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 10 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 1.360 Einheit(en) mit Versand ab 29. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 400,738 €7,38 €
50 - 900,632 €6,32 €
100 - 9900,553 €5,53 €
1000 +0,491 €4,91 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
171-2501
Herst. Teile-Nr.:
TK8S06K3L
Marke:
Toshiba
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Maximale Verlustleistung Pd

25W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.3mm

Länge

6.5mm

Breite

7 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
JP
KfzMotortreiberDC/DC-WandlerSchaltspannungsreglerNiedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 43 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 60 V)Verbesserungsmodus: Vth = 2,0 bis 3,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Verwandte Links