Toshiba DTMOSIV N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 6,8 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 133-2801
Herst. Teile-Nr.:: TK7P65W,RQ(S
Marke:: Toshiba

Toshiba DTMOSIV N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 6,8 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:: 133-2801
Herst. Teile-Nr.:: TK7P65W,RQ(S
Marke:: Toshiba

TK7P65W, MOSFET N-Channel 650V
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	6,8 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Serie	DTMOSIV
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	800 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	60 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	15 nC @ 10 V
Breite	6.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	6.6mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	2.3mm
Diodendurchschlagsspannung	1.7V

Toshiba DTMOSIV N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 6,8 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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MOSFET-N-Kanal, Serie TK6 und TK7, Toshiba

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