Toshiba DTMOSIV TK8P60W5,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 8 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 133-2804
Herst. Teile-Nr.:: TK8P60W5,RVQ(S
Marke:: Toshiba

Toshiba DTMOSIV TK8P60W5,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 8 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Ursprungsland:: JP

Produktdetails

MOSFET-N-Kanal, TK8- und TK9-Serie, Toshiba

MOSFET-Transistoren, Toshiba

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	8 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Serie	DTMOSIV
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	560 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	80 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	6.6mm
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	6.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	22 nC @ 10 V
Diodendurchschlagsspannung	1.7V
Höhe	2.3mm

RS Best.-Nr.:: 133-2804
Herst. Teile-Nr.:: TK8P60W5,RVQ(S
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Toshiba DTMOSIV TK8P60W5,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 8 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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MOSFET-N-Kanal, TK8- und TK9-Serie, Toshiba

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MOSFET-N-Kanal, TK8- und TK9-Serie, Toshiba

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