Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 11.1 A 100 W, 3-Pin TK11P65W,RQ(S TO-252

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RS Best.-Nr.:
133-2796
Herst. Teile-Nr.:
TK11P65W,RQ(S
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

DTMOSIV

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

440mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Durchlassspannung Vf

1.7V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.3mm

Länge

6.6mm

Breite

6.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
JP

MOSFET-Transistoren, Toshiba


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