Toshiba DTMOSIV N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11,1 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 133-2796
Herst. Teile-Nr.:: TK11P65W,RQ(S
Marke:: Toshiba

Toshiba DTMOSIV N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11,1 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Herst. Teile-Nr.:: TK11P65W,RQ(S
Marke:: Toshiba

TK11P65W, MOSFET N-Channel 650V
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	11,1 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Serie	DTMOSIV
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	440 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	100 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	6.1mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	25 nC @ 10 V
Länge	6.6mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	2.3mm
Diodendurchschlagsspannung	1.7V

Toshiba DTMOSIV N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11,1 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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