Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 11.5 A 100 W, 3-Pin TK12P60W,RVQ(S TO-252

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RS Best.-Nr.:
827-6126
Herst. Teile-Nr.:
TK12P60W,RVQ(S
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

DTMOSIV

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

340mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Durchlassspannung Vf

-1.7V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.3mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.1 mm

Länge

6.6mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

MOSFET-Transistoren, Toshiba


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